Справочник MOSFET. SI5N60-TN3-T

 

SI5N60-TN3-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5N60-TN3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SI5N60-TN3-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5N60-TN3-T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:405K  cn szxunrui
 si5n60.pdf pdf_icon

SI5N60-TN3-T

N-CHANNEL MOSFETSI5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics ,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This

Другие MOSFET... SI4N60L-TN3-R , SI4N60L-TN3-T , SI4N65 , SI4N65F , SI5N60-TA3-T , SI5N60-TF3-T , SI5N60-TM3-T , SI5N60-TN3-R , K3569 , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 .

History: IRFHM830TRPBF | WMJ220N20HG3 | SI7388DP | SD10425 | IRFR2905Z | MTEF1P15AV8 | FDD6296

 

 
Back to Top

 


 
.