SI5N60L-TA3-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI5N60L-TA3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SI5N60L-TA3-T
SI5N60L-TA3-T Datasheet (PDF)
si5n60.pdf

N-CHANNEL MOSFETSI5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics ,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This
Другие MOSFET... SI4N60L-TN3-T , SI4N65 , SI4N65F , SI5N60-TA3-T , SI5N60-TF3-T , SI5N60-TM3-T , SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , 2N7000 , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F .
History: IRLU3715ZPBF | BRCS70N08IP | BLF7G20LS-90P | FQP11N40 | 2SK1681 | TDM3532 | AP4800GM
History: IRLU3715ZPBF | BRCS70N08IP | BLF7G20LS-90P | FQP11N40 | 2SK1681 | TDM3532 | AP4800GM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270