Справочник MOSFET. SI5N60L-TN3-R

 

SI5N60L-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5N60L-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SI5N60L-TN3-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5N60L-TN3-R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:405K  cn szxunrui
 si5n60.pdf pdf_icon

SI5N60L-TN3-R

N-CHANNEL MOSFETSI5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics ,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This

Другие MOSFET... SI5N60-TA3-T , SI5N60-TF3-T , SI5N60-TM3-T , SI5N60-TN3-R , SI5N60-TN3-T , SI5N60L-TA3-T , SI5N60L-TF3-T , SI5N60L-TM3-T , K4145 , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , SI9435 .

History: XP152A12C0MR-G | JCS160N08 | STP200NF03 | SI4838BDY | DMN2300U | NCE8804 | PJA3439

 

 
Back to Top

 


 
.