SI7N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SI7N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7N65F даташит

 8.1. Size:1547K  cn szxunrui
 si7n65.pdf pdf_icon

SI7N65F

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI7N65 Description 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features Application R = 1.27 (Max.) @ V = 10V, I = 3.5A DC-DC & DC-AC Converters DS(ON) GS D Fast switching Uninterruptible Power Supply (UPS) 100% avalanche tested Switch Mode Low Power Supplies Improved dv/dt capability Package TO-220 TO-220

 9.1. Size:219K  1
 ssi7n60a ssw7n60a.pdf pdf_icon

SI7N65F

 9.2. Size:661K  1
 ssw7n60b ssi7n60b.pdf pdf_icon

SI7N65F

November 2001 SSW7N60B / SSI7N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие IGBT... SI5N60L-TA3-T, SI5N60L-TF3-T, SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03, SI68H11, SI7N65, K3569, SI8205A, SI8205S, SI9435, TX216521M6R, PS3400N, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ