Справочник MOSFET. STP6NA60FI

 

STP6NA60FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP6NA60FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP6NA60FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6NA60FI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdfpdf_icon

STP6NA60FI

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

 6.1. Size:384K  st
stp6na60-fi.pdfpdf_icon

STP6NA60FI

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

 6.2. Size:377K  st
stp6na60.pdfpdf_icon

STP6NA60FI

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

Другие MOSFET... STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 , 20N50 , STP6NA80 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI .

History: IXFM50N20 | MBNP2074G6

 

 
Back to Top

 


 
.