NVD5C632NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVD5C632NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 126 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD5C632NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5C632NL даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
 nvd5c632nl.pdf pdf_icon

NVD5C632NL

NVD5C632NL Power MOSFET 60 V, 2.5 mW, 155 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) ID 2.5 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:186K  1
 nvd5c648nl.pdf pdf_icon

NVD5C632NL

NVD5C648NL MOSFET Power, Single N-Channel 60 V, 4.1 mW, 89 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 4.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 60 V 89 A Compliant 5.7 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ

 8.2. Size:226K  onsemi
 nvd5c648nl.pdf pdf_icon

NVD5C632NL

NVD5C648NL MOSFET Power, Single N-Channel 60 V, 4.1 mW, 89 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 4.1 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 60 V 89 A Compliant 5.7 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ

 8.3. Size:191K  onsemi
 nvd5c688nl.pdf pdf_icon

NVD5C632NL

NVD5C688NL Power MOSFET 60 V, 27.4 mW, 17 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) ID 27.4 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise note

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVBLS0D7N04M8, NVBLS0D7N06C, NVBLS1D1N08H, NVBLS4D0N15MC, NVC3S5A51PLZ, NVD5C446N, NVD5C454N, NVD5C454NL, IRFZ24N, NVD5C668NL, NVD5C688NL, NVD6415ANL, NVF2955P, NVH4L040N120SC1, NVH4L080N120SC1, NVH4L160N120SC1, NVHL020N120SC1