NVMFD5C462N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVMFD5C462N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NVMFD5C462N
NVMFD5C462N Datasheet (PDF)
nvmfd5c462n.pdf
NVMFD5C462NMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 5.4 mW, 70 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C462NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection40 V 5.4 mW @ 10 V 70 A AEC-Q101 Qualified
nvmfd5c462nl.pdf
NVMFD5C462NLMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 4.7 mW, 84 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C462NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical4.7 mW @ 10 VInspection40 V84 A AEC-Q101 Qualif
nvmfd5c466n.pdf
NVMFD5C466NMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 8.1 mW, 49 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C466NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection40 V 8.1 mW @ 10 V 49 A AEC-Q101 Qualified
nvmfd5c466nl.pdf
NVMFD5C466NLMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 7.4 mW, 52 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C466NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection7.4 mW @ 10 V40 V52 A AEC-Q101 Qualif
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918