NVMFD5C466N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMFD5C466N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NVMFD5C466N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFD5C466N даташит

 ..1. Size:203K  onsemi
 nvmfd5c466n.pdf pdf_icon

NVMFD5C466N

NVMFD5C466N MOSFET Power, Dual N-Channel 40 V, 8.1 mW, 49 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C466NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Inspection 40 V 8.1 mW @ 10 V 49 A AEC-Q101 Qualified

 0.1. Size:208K  onsemi
 nvmfd5c466nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C466N

NVMFD5C466NL MOSFET Power, Dual N-Channel 40 V, 7.4 mW, 52 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C466NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection 7.4 mW @ 10 V 40 V 52 A AEC-Q101 Qualif

 5.1. Size:206K  onsemi
 nvmfd5c462n.pdf pdf_icon

NVMFD5C466N

NVMFD5C462N MOSFET Power, Dual N-Channel 40 V, 5.4 mW, 70 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C462NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Inspection 40 V 5.4 mW @ 10 V 70 A AEC-Q101 Qualified

 5.2. Size:207K  onsemi
 nvmfd5c462nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C466N

NVMFD5C462NL MOSFET Power, Dual N-Channel 40 V, 4.7 mW, 84 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C462NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 4.7 mW @ 10 V Inspection 40 V 84 A AEC-Q101 Qualif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVMFD024N06C, NVMFD030N06C, NVMFD5853NWF, NVMFD5875NL, NVMFD5C446N, NVMFD5C446NL, NVMFD5C462N, NVMFD5C462NL, IRF740, NVMFD5C466NL, NVMFD5C470N, NVMFD5C470NL, NVMFD5C478N, NVMFD5C478NL, NVMFD5C650NL, NVMFD5C668NL, NVMFD5C672NL