Справочник MOSFET. NVMFD5C478N

 

NVMFD5C478N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVMFD5C478N
   Маркировка: 5C478N_478NWF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN8-5X6

 Аналог (замена) для NVMFD5C478N

 

 

NVMFD5C478N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  onsemi
 nvmfd5c478n.pdf

NVMFD5C478N NVMFD5C478N

NVMFD5C478NPower MOSFET40 V, 17.0 mW, 27 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C478NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Comp

 0.1. Size:155K  onsemi
 nvmfd5c478nl.pdf

NVMFD5C478N NVMFD5C478N

NVMFD5C478NLPower MOSFET40 V, 14.5 mW, 29 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C478NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 5.1. Size:209K  onsemi
 nvmfd5c470n.pdf

NVMFD5C478N NVMFD5C478N

NVMFD5C470NMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 11.7 mW, 36 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C470NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection40 V 11.7 mW @ 10 V 36 A AEC-Q101 Qualifie

 5.2. Size:200K  onsemi
 nvmfd5c470nl.pdf

NVMFD5C478N NVMFD5C478N

NVMFD5C470NLMOSFET Power, DualN-Channel40 V, 11.5 mW, 36 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C470NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection11.5 mW @ 10 V40 V AEC-Q101 Qualified

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top