NVMFD5C680NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMFD5C680NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NVMFD5C680NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFD5C680NL даташит

 ..1. Size:340K  onsemi
 nvmfd5c680nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C680NL

NVMFD5C680NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 28 mW, 26 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C680NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 28 mW @ 10 V 60 V Inspection 26 A 41 mW @ 4.5 V AE

 6.1. Size:206K  onsemi
 nvmfd5c668nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C680NL

NVMFD5C668NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 6.5 mW, 68 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C668NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 6.5 mW @ 10 V 60 V Inspection 68 A 9.2 mW @ 4.5 V

 6.2. Size:208K  onsemi
 nvmfd5c650nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C680NL

NVMFD5C650NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C650NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 4.2 mW @ 10 V Inspection 60 V 111 A AEC-Q101 Qual

 6.3. Size:206K  onsemi
 nvmfd5c672nl.pdf pdf_icon

NVMFD5C680NL

MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 11.9 mW, 40 A NVMFD5C672NL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C672NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Inspection 11.9 mW @ 10 V 60 V 40 A AEC-Q101 Quali

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVMFD5C470N, NVMFD5C470NL, NVMFD5C478N, NVMFD5C478NL, NVMFD5C650NL, NVMFD5C668NL, NVMFD5C672NL, NVMFD5C674NL, IRLZ44N, NVMFD6H840NL, NVMFD6H846NL, NVMFD6H852NL, NVMFS015N10MCL, NVMFS016N06C, NVMFS020N06C, NVMFS024N06C, NVMFS3D6N10MCL