Справочник MOSFET. NVMFD5C680NL

 

NVMFD5C680NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVMFD5C680NL
   Маркировка: 5C680L_680LWF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DFN8-5X6

 Аналог (замена) для NVMFD5C680NL

 

 

NVMFD5C680NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  onsemi
 nvmfd5c680nl.pdf

NVMFD5C680NL NVMFD5C680NL

NVMFD5C680NLMOSFET Power, DualN-Channel60 V, 28 mW, 26 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C680NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical28 mW @ 10 V60 VInspection26 A41 mW @ 4.5 V AE

 6.1. Size:206K  onsemi
 nvmfd5c668nl.pdf

NVMFD5C680NL NVMFD5C680NL

NVMFD5C668NLMOSFET Power, DualN-Channel60 V, 6.5 mW, 68 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C668NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical6.5 mW @ 10 V60 VInspection68 A9.2 mW @ 4.5 V

 6.2. Size:208K  onsemi
 nvmfd5c650nl.pdf

NVMFD5C680NL NVMFD5C680NL

NVMFD5C650NLMOSFET Power, DualN-Channel60 V, 4.2 mW, 111 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C650NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical4.2 mW @ 10 VInspection60 V111 A AEC-Q101 Qual

 6.3. Size:206K  onsemi
 nvmfd5c672nl.pdf

NVMFD5C680NL NVMFD5C680NL

MOSFET Power, DualN-Channel60 V, 11.9 mW, 40 ANVMFD5C672NLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFD5C672NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection11.9 mW @ 10 V60 V40 A AEC-Q101 Quali

 6.4. Size:347K  onsemi
 nvmfd5c674nl.pdf

NVMFD5C680NL NVMFD5C680NL

MOSFET Power, DualN-Channel60 V, 14.4 mW, 42 ANVMFD5C674NLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFD5C674NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical14.4 mW @ 10 VInspection60 V42 A AEC-Q101 Qual

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top