NVMFS016N06C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVMFS016N06C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NVMFS016N06C Datasheet (PDF)
nvmfs016n06c.pdf

MOSFET- Power, SingleN-Channel, SO-8FL60 V, 15.6 mW, 33 ANVMFS016N06CFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFWS016N06C - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection60 V 15.6 mW @ 10 V 33 A AEC-Q101
nvmfs015n10mcl.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel100 V, 12.2 mW, 47.1 ANVMFS015N10MCLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWS015N10MCL - Wettable Flank Option for Enhanced12.2 mW @ 10 VOptical Inspection100 V 47.1 A18.3 mW @
nvmfs020n06c.pdf

MOSFET- Power, SingleN-Channel, SO-8FL60 V, 19.6 mW, 28 ANVMFS020N06CFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFWS020N06C - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection60 V 19.6 mW @ 10 V 28 A AEC-Q101
nvmfs024n06c.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel, SO-8 FL60 V, 22 mW, 25 ANVMFS024N06CFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFWS024N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection60 V 22 mW @ 10 V 25 A AEC-Q101 Qua
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BL13N50-P | 2SK3892 | STP5NB40 | STM8500A | FQT4N20TF | SQM100N04-3M5 | 2SK3532
History: BL13N50-P | 2SK3892 | STP5NB40 | STM8500A | FQT4N20TF | SQM100N04-3M5 | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent