NVMFS5C410N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMFS5C410N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 162 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00092 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NVMFS5C410N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFS5C410N даташит

 ..1. Size:171K  onsemi
nvmfs5c410n.pdfpdf_icon

NVMFS5C410N

MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 0.92 mW, 300 A NVMFS5C410N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C410NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Inspection 40 V 0.92 mW @ 10 V 300 A AEC-Q101 Qualif

 0.1. Size:71K  onsemi
nvmfs5c410nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C410N

NVMFS5C410NL Power MOSFET 40 V, 0.9 mW, 315 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C410NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 0.9

 6.1. Size:160K  onsemi
nvmfs5c450nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C410N

NVMFS5C450NL Power MOSFET 40 V, 2.8 mW, 110 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C450NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 2.8 mW

 6.2. Size:75K  onsemi
nvmfs5c404nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C410N

NVMFS5C404NL Power MOSFET 40 V, 0.75 mW, 352 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C404NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 0.7

Другие IGBT... NVMFS024N06C, NVMFS3D6N10MCL, NVMFS4C302N, NVMFS4C310N, NVMFS5A140PLZ, NVMFS5A160PLZ, NVMFS5C406N, NVMFS5C406NL, IRF630, NVMFS5C426N, NVMFS5C426NL, NVMFS5C430N, NVMFS5C430NL, NVMFS5C442N, NVMFS5C450N, NVMFS5C450NL, NVMFS5C456N