Справочник MOSFET. NVMFS5C466N

 

NVMFS5C466N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVMFS5C466N
   Маркировка: 5C466N_466NWF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

 Аналог (замена) для NVMFS5C466N

 

 

NVMFS5C466N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  onsemi
 nvmfs5c466n.pdf

NVMFS5C466N NVMFS5C466N

NVMFS5C466NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 8.1 mW, 49 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C466NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 8.1 mW @ 10 V 49 AInspection AEC-Q101 Qualifie

 5.1. Size:180K  onsemi
 nvmfs5c460n.pdf

NVMFS5C466N NVMFS5C466N

NVMFS5C460NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 5.3 mW, 71 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C460NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection 40 V 5.3 mW @ 10 V 71 A AEC-Q101 Qualified

 5.2. Size:134K  onsemi
 nvmfs5c460nl.pdf

NVMFS5C466N NVMFS5C466N

NVMFS5C460NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 4.5 mW, 78 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C460NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical4.5 mW @ 10 VInspection 40 V 78 A7.2 mW @ 4.5 V

 5.3. Size:174K  onsemi
 nvmfs5c468n.pdf

NVMFS5C466N NVMFS5C466N

NVMFS5C468NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 12 mW, 35 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C468NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 12 mW @ 10 V 35 AInspection AEC-Q101 Qualified

 5.4. Size:173K  onsemi
 nvmfs5c468nl.pdf

NVMFS5C466N NVMFS5C466N

NVMFS5C468NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 10.3 mW, 37 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C468NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical10.3 mW @ 10 VInspection40 V 37 A17.6 mW @ 4.5 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top