NVMFS5C645NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMFS5C645NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NVMFS5C645NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFS5C645NL даташит

 ..1. Size:179K  onsemi
nvmfs5c645nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C645NL

NVMFS5C645NL Power MOSFET 60 V, 4.0 mW, 100 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C645NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 4.0 mW

 5.1. Size:74K  onsemi
nvmfs5c646nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C645NL

NVMFS5C646NL Power MOSFET 60 V, 4.7 mW, 93 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C646NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 4.7 mW @

 6.1. Size:167K  onsemi
nvmfs5c670n.pdfpdf_icon

NVMFS5C645NL

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 7.0 mW, 71 A NVMFS5C670N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C670NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 60 V 7.0 mW @ 10 V 71 A Inspection AEC-Q101 Qualifi

 6.2. Size:72K  onsemi
nvmfs5c604nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C645NL

NVMFS5C604NL Power MOSFET 60 V, 1.2 mW, 287 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C604NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1.2 mW

Другие IGBT... NVMFS5C460NL, NVMFS5C466N, NVMFS5C468N, NVMFS5C468NL, NVMFS5C612N, NVMFS5C628N, NVMFS5C628NL, NVMFS5C638NL, 5N65, NVMFS5C670N, NVMFS5C673N, NVMFS5C673NL, NVMFS5C677NL, NVMFS5C680NL, NVMFS5C682NL, NVMFS5H600NL, NVMFS5H663NL