Справочник MOSFET. STP8NA50FI

 

STP8NA50FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8NA50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP8NA50FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NA50FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:395K  st
stp8na50.pdfpdf_icon

STP8NA50FI

STP8NA50STP8NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NA50 500 V

 9.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STP8NA50FI

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 9.2. Size:326K  st
stp8nc60.pdfpdf_icon

STP8NA50FI

STP8NC60STP8NC60FPN-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/TO-220FPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NC60 600 V

 9.3. Size:554K  st
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdfpdf_icon

STP8NA50FI

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CPH3455 | STD8N10-1

 

 
Back to Top

 


 
.