STP9NA50 - описание и поиск аналогов

 

STP9NA50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9NA50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP9NA50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NA50 даташит

 ..1. Size:385K  st
stp9na50.pdfpdf_icon

STP9NA50

STP9NA50 STP9NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP9NA50 500 V

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdfpdf_icon

STP9NA50

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdfpdf_icon

STP9NA50

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdfpdf_icon

STP9NA50

Другие MOSFET... STP7NA40 , STP7NA40FI , STP7NA60 , STP7NA60FI , STP8N50XI , STP8NA50 , STP8NA50FI , STP9N30 , AO3407 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STV33N10 , STV36N06 , STV3NA80 , STV40N05 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.