NVMTS0D7N04CL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVMTS0D7N04CL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 433 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4629 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00063 Ohm

Тип корпуса: DFNW8

Аналог (замена) для NVMTS0D7N04CL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMTS0D7N04CL даташит

 ..1. Size:246K  onsemi
 nvmts0d7n04cl.pdf pdf_icon

NVMTS0D7N04CL

NVMTS0D7N04CL MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.63 mW, 433 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.63 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 433 A 0.92 mW

 2.1. Size:243K  onsemi
 nvmts0d7n04c.pdf pdf_icon

NVMTS0D7N04CL

NVMTS0D7N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.67 mW, 420 A Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 0.67 mW @ 10 V 420 A Wettab

 4.1. Size:285K  onsemi
 nvmts0d7n06cl.pdf pdf_icon

NVMTS0D7N04CL

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 0.68 mW, 477 A NVMTS0D7N06CL Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard 0.68 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 60 V 477 A 0.90 mW @

 7.1. Size:389K  onsemi
 nvmts0d6n04c.pdf pdf_icon

NVMTS0D7N04CL

MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 0.48 mW, 533 A NVMTS0D6N04C Features www.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Wettable Flank Plated for Enhanced Optical Inspection 40 V 0.48 mW @ 10 V 533 A AEC-Q101 Qualified and PPAP C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVMFS6H852NL, NVMFS6H858N, NVMFS6H858NL, NVMFS6H864N, NVMFS6H864NL, NVMTS0D4N04CL, NVMTS0D6N04C, NVMTS0D7N04C, IRFB31N20D, NVMTS0D7N06CL, NVMYS4D6N04CL, NVR5124PL, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C, NVTFS004N04C, NVTFS005N04C