NVTFS004N04C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVTFS004N04C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

Аналог (замена) для NVTFS004N04C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS004N04C даташит

 ..1. Size:202K  onsemi
nvtfs004n04c.pdfpdf_icon

NVTFS004N04C

NVTFS004N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 4.9 mW, 77 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS004N04C - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 4.9 mW @ 10 V 77 A These De

 7.1. Size:267K  onsemi
nvtfs002n04c.pdfpdf_icon

NVTFS004N04C

NVTFS002N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 2.4 mW, 136 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS002N04C - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 2.4 mW @ 10 V 136 A These

 7.2. Size:200K  onsemi
nvtfs003n04c.pdfpdf_icon

NVTFS004N04C

NVTFS003N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 3.5 mW, 103 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS003N04C - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 3.5 mW @ 10 V 103 A These

 7.3. Size:184K  onsemi
nvtfs008n04c.pdfpdf_icon

NVTFS004N04C

NVTFS008N04C Power MOSFET 40 V, 7.1 mW, 48 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS008N04C - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoH

Другие IGBT... NVMTS0D7N04C, NVMTS0D7N04CL, NVMTS0D7N06CL, NVMYS4D6N04CL, NVR5124PL, NVTFS002N04C, NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C, IRLB3034, NVTFS005N04C, NVTFS008N04C, NVTFS010N10MCL, NVTFS014P04M8L, NVTFS015N04C, NVTFS016N06C, NVTFS020N06C, NVTFS024N06C