NVTFS016N06C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVTFS016N06C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0163 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

Аналог (замена) для NVTFS016N06C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTFS016N06C даташит

 ..1. Size:268K  onsemi
 nvtfs016n06c.pdf pdf_icon

NVTFS016N06C

MOSFET - Power, Single N-Channel, m8FL 60 V, 16.3 mW, 32 A NVTFS016N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS016N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Inspection 60 V 16.3 mW @ 10 V 32 A AEC-

 7.1. Size:320K  onsemi
 nvtfs010n10mcl.pdf pdf_icon

NVTFS016N06C

NVTFS010N10MCL MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 10.6 mW, 57.8 A Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFWS010N10MCLTAG - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 10.6 mW @ 10 V 100 V 57.8

 7.2. Size:201K  onsemi
 nvtfs015n04c.pdf pdf_icon

NVTFS016N06C

NVTFS015N04C MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 17.3 mW, 27 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS015N04C - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 40 V 17.3 mW @ 10 V 27 A These

 7.3. Size:217K  onsemi
 nvtfs014p04m8l.pdf pdf_icon

NVTFS016N06C

MOSFET Power, Single, P-Channel -40 V, 13.8 mW, -49 A NVTFS014P04M8L Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS014P04M8L - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 13.8 mW @ -10 V These D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVTFS002N04CL, NVTFS003N04C, NVTFS004N04C, NVTFS005N04C, NVTFS008N04C, NVTFS010N10MCL, NVTFS014P04M8L, NVTFS015N04C, RU7088R, NVTFS020N06C, NVTFS024N06C, NVTFS030N06C, NVTFS052P04M8L, NVTFS5C453NL, NVTFS5C454NL, NVTFS5C460NL, NVTFS5C466NL