Справочник MOSFET. NVTFS016N06C

 

NVTFS016N06C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVTFS016N06C
   Маркировка: 16NC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0163 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8

 Аналог (замена) для NVTFS016N06C

 

 

NVTFS016N06C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  onsemi
 nvtfs016n06c.pdf

NVTFS016N06C NVTFS016N06C

MOSFET - Power, SingleN-Channel, m8FL60 V, 16.3 mW, 32 ANVTFS016N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS016N06C - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXInspection60 V 16.3 mW @ 10 V 32 A AEC-

 7.1. Size:320K  onsemi
 nvtfs010n10mcl.pdf

NVTFS016N06C NVTFS016N06C

NVTFS010N10MCLMOSFET - Power, SingleN-Channel100 V, 10.6 mW, 57.8 AFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFWS010N10MCLTAG - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable10.6 mW @ 10 V100 V 57.8

 7.2. Size:201K  onsemi
 nvtfs015n04c.pdf

NVTFS016N06C NVTFS016N06C

NVTFS015N04CMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 17.3 mW, 27 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS015N04C - Wettable Flanks Product V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable40 V 17.3 mW @ 10 V 27 A These

 7.3. Size:217K  onsemi
 nvtfs014p04m8l.pdf

NVTFS016N06C NVTFS016N06C

MOSFET Power, Single,P-Channel-40 V, 13.8 mW, -49 ANVTFS014P04M8LFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFWS014P04M8L - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable13.8 mW @ -10 V These D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top