NVTFS5C478NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVTFS5C478NL
Маркировка: 478L_78LW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NVTFS5C478NL
NVTFS5C478NL Datasheet (PDF)
nvtfs5c478nl.pdf
MOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 14 mW, 26 ANVTFS5C478NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C478NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable14 mW @ 10 V These Devices are
nvtfs5c471nl.pdf
MOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 9.0 mW, 41 ANVTFS5C471NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS5C471NLWF - Wettable Flanks Product9.0 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable40 V 41 A These
nvtfs5c453nl.pdf
MOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 3.1 mW, 107 ANVTFS5C453NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS5C453NLWF - Wettable Flanks Product3.1 mW @ 10 V40 V107 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable5.2 mW
nvtfs5c454nl.pdf
NVTFS5C454NLPower MOSFET40 V, 4.0 mW, 85 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C454NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are Ro
nvtfs5c460nl.pdf
MOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 4.8 mW, 74 ANVTFS5C460NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS5C460NLWF - Wettable Flanks Product4.8 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable40 V 74 A These
nvtfs5c466nl.pdf
NVTFS5C466NLMOSFET - Power, SingleN-Channel40 V, 7.3 mW, 51 AFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses NVTFS5C466NLWF - Wettable Flanks ProductV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable7.3 mW @ 10 V These Devices are
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918