STV33N10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STV33N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SO10
Аналог (замена) для STV33N10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STV33N10 даташит
No data!
Другие MOSFET... STP8NA50 , STP8NA50FI , STP9N30 , STP9NA50 , STP9NA50FI , STV10NA40 , STV12N20 , STV18N20 , STF13NM60N , STV36N06 , STV3NA80 , STV40N05 , STV40N10 , STV4N100 , STV4NA60 , STV4NA80 , STV50N05 .
History: STV4NA60
History: STV4NA60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor
