Справочник MOSFET. PJM2301PSA-S

 

PJM2301PSA-S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM2301PSA-S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM2301PSA-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1074K  pjsemi
pjm2301psa-s.pdfpdf_icon

PJM2301PSA-S

PJM2301PSA-S P- Enhancement Mode Field Effect Transistor Features SOT-23 VDS= -20V I = -2AD R =120m (typ) @ V =-2.5VDS(ON) GSR =88m (typ) @ V =-4.5VDS(ON) GS High power and current handing capability Halogen and Antimony Free Surface mount package1. Gate 2.Source 3.DrainMarking : S01Drain 3 Applications Battery protection Load s

 4.1. Size:1405K  pjsemi
pjm2301psa.pdfpdf_icon

PJM2301PSA-S

PJM2301PSAP- Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures High power and current handing capabilitySOT-23 Halogen free product is acquired Surface mount package1. Gate 2.Source 3.DrainApplications Marking: M01 Battery protection Schematic Diagram Load switchDrain3 Power management1GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25

 8.1. Size:2298K  pjsemi
pjm2305psa.pdfpdf_icon

PJM2301PSA-S

PJM2305PSAP-Channel Power MOSFETSOT-23Features Fast switching Low gate charge and RDS(ON) Low reverse transfer capacitances1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: S5Application Schematic Diagram Load switch and in PWM applicatopnsDrain3 Power management1GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Paramete

 8.2. Size:1200K  pjsemi
pjm2300nsa-l.pdfpdf_icon

PJM2301PSA-S

PJM2300NSA-L N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures SOT-23 Excellent R and Low Gate ChargeDS(ON) VDS= 20V I = 5.5A DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP73T02GH-HF | SWF13N50D | IXTH10P50P | PJA3400 | IRFS820 | BUK444-200B | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.