Справочник MOSFET. RSQ035P03

 

RSQ035P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSQ035P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RSQ035P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSQ035P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  rohm
 rsq035p03.pdf pdf_icon

RSQ035P03

RSQ035P03 Transistor 4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive. (4V) 0.160.4Each lead has same dimensionsA

 0.1. Size:952K  rohm
 rsq035p03fra.pdf pdf_icon

RSQ035P03

RSQ035P03FRARSQ035P03TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03FRARSQ035P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFETTSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive. (4V)

 0.2. Size:85K  rohm
 rsq035p03tr.pdf pdf_icon

RSQ035P03

RSQ035P03 Transistor 4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage drive. (4V) 0.160.4Each lead has same dimensionsA

 8.1. Size:914K  rohm
 rsq035n03fra.pdf pdf_icon

RSQ035P03

RSQ035N03FRARSQ035N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RSQ035N03RSQ035N03FRA Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 ApplicationsEach lead

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSK3541FS8 , RD3P200SNFRA , RJU002N06 , RK7002BMHZG , RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , AO4407 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , RTQ020N05HZG , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC .

History: WMN13N65EM | TPC6004 | 2SK2751 | SSG0410 | SST65R280S2 | IRFH8318TRPBF | MTE6D5N12B0E3

 

 
Back to Top

 


 
.