RTQ020N05HZG - описание и поиск аналогов

 

RTQ020N05HZG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTQ020N05HZG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SOT-457T

Аналог (замена) для RTQ020N05HZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ020N05HZG даташит

 ..1. Size:1526K  rohm
rtq020n05hzg.pdfpdf_icon

RTQ020N05HZG

RTQ020N05HZG Datasheet Nch 45V 2A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-457T VDSS 45V SC-95 RDS(on)(Max.) 190m TSMT6 ID 2A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S protection diode 3) Small surface mount package(TSMT6) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 5) AEC-Q101 Qualified l

 5.1. Size:217K  rohm
rtq020n05.pdfpdf_icon

RTQ020N05HZG

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 1) Low On-resistance. (6) (5) (4) 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbo

 5.2. Size:537K  rohm
rtq020n05tr.pdfpdf_icon

RTQ020N05HZG

RTQ020N05 Nch 45V 2A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 45V (5) TSMT6 (4) RDS(on) (Max.) 190mW (1) ID 2A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 E

 6.1. Size:55K  rohm
rtq020n03.pdfpdf_icon

RTQ020N05HZG

RTQ020N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ020N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive (2.5V drive). 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

Другие MOSFET... RQ3C150BC , RQ5E040TN , RQ5E050AT , RRR040P03FRA , RSQ035P03 , RSR025P03 , RTE002P02 , RTM002P02 , STP80NF70 , RTQ025P02 , RTU002P02 , RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY .

History: MXP43P9AF | 2SK1915 | 2SK596S-B | CS120N08A8 | SM3335PSQG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.