SCT3080KLHR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SCT3080KLHR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
Тип корпуса: TO-247N
Аналог (замена) для SCT3080KLHR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SCT3080KLHR даташит
sct3080klhr.pdf
SCT3080KLHR Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247N VDSS 1200V RDS(on) (Typ.) 80m 31A ID*1 PD (3) 165W (2) (1) lInner circuit lFeatures (1) Gate 1) Qualified to AEC-Q101 (2) Drain (3) Source 2) Low on-resistance *Body Diode 3) Fast switching speed 4) Fast reverse recovery Please note Driver Source and Power Source are 5) Easy to p
sct3080kl.pdf
SCT3080KL N-channel SiC power MOSFET Datasheet Outline TO-247N VDSS 1200V RDS(on) (Typ.) 80m ID 31A (3) PD 165W (2) (1) Inner circuit (2) Features (1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance (3) Source *1 (1) 2) Fast switching speed *1 Body Diode 3) Fast reverse recovery (3) 4) Easy to parallel Packaging specifications 5) Simple to drive Packing Tube
sct3060al.pdf
SCT3060AL N-channel SiC power MOSFET Data Sheet lOutline TO-247N VDSS 650V RDS(on) (Typ.) 60mW ID 39A (3) PD 165W (2) (1) lInner circuit lFeatures (1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance (3) Source 2) Fast switching speed *1 Body Diode 3) Fast reverse recovery 4) Easy to parallel lPackaging specifications 5) Simple to drive Packing Tube 6) Pb-free lead plating
sct3060ar.pdf
SCT3060AR N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247-4L VDSS 650V RDS(on) (Typ.) 60m 39A ID*1 PD 165W (1) (2)(3)(4) lInner circuit lFeatures 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Fast reverse recovery 4) Easy to parallel Please note Driver Source and Power Source are 5) Simple to drive not exchangeable. Their exchange might lead to malfunction. 6) P
Другие MOSFET... RUC002N05HZGT116 , RV2C014BC , SCT2080KE , SCT2160KE , SCT2280KE , SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , RFP50N06 , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 , OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF .
History: PNMT6N1-LB | RTQ025P02 | NTTFS5811NLTAG
History: PNMT6N1-LB | RTQ025P02 | NTTFS5811NLTAG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet




