OSG60R180FSF - описание и поиск аналогов

 

OSG60R180FSF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: OSG60R180FSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R180FSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R180FSF даташит

 ..1. Size:873K  oriental semi
osg60r180fsf.pdfpdf_icon

OSG60R180FSF

 ..2. Size:1016K  oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdfpdf_icon

OSG60R180FSF

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

 0.1. Size:902K  oriental semi
osg60r180fsf-nb.pdfpdf_icon

OSG60R180FSF

 4.1. Size:916K  oriental semi
osg60r180ft3f.pdfpdf_icon

OSG60R180FSF

Другие MOSFET... SP8M24FRA , UM5K1N , UT6MA3 , OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , P60NF06 , OSG60R180ISF , OSG60R180HSF , OSG60R180KSF , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.