OSG60R180FSF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R180FSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R180FSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 163 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 35.5 nC
   Время нарастания (tr): 20.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 120.2 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R180FSF

OSG60R180FSF Datasheet (PDF)

..1. Size:873K oriental semi
osg60r180fsf.pdf

..2. Size:1016K oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

0.1. Size:902K oriental semi
osg60r180fsf-nb.pdf