Справочник MOSFET. OSG60R180KSF

 

OSG60R180KSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R180KSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 163 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для OSG60R180KSF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R180KSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  oriental semi
osg60r180ksf.pdfpdf_icon

OSG60R180KSF

 ..2. Size:1016K  oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdfpdf_icon

OSG60R180KSF

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

 4.1. Size:993K  oriental semi
osg60r180kf.pdfpdf_icon

OSG60R180KSF

 5.1. Size:916K  oriental semi
osg60r180ft3f.pdfpdf_icon

OSG60R180KSF

Другие MOSFET... OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF , OSG60R180HSF , IRF730 , OSG60R580FTF , OSG65R1K4AF , OSG65R1K4DF , OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF .

History: FM200CD1D5B | NCE15H10 | STP14NM65N | APT6010B2FLL | NDS8961 | BF247A | BUZ305

 

 
Back to Top

 


 
.