OSG65R290KEF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG65R290KEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG65R290KEF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
   Время нарастания (tr): 19.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 74.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG65R290KEF

OSG65R290KEF Datasheet (PDF)

..1. Size:938K oriental semi
osg65r290kef.pdf

..2. Size:991K oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

4.1. Size:1024K oriental semi
osg65r290kf.pdf