PIP8205-Z6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PIP8205-Z6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для PIP8205-Z6
PIP8205-Z6 Datasheet (PDF)
pip8205.pdf

PIP8205 20V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON),max.m RDS(ON),typ.m Test Conditions ID General Features 20 16 VGS=10V, ID=5.0A Proprietary New Trench Technology 20V V =4.5V, I =4.5A 7A 22 18 GS D Low Gate Charge Minimize Switching Loss VGS=2.5V, ID=3.0A 28 22 Fast Recovery Body Diode D1/D2 S2 S2 Applications G2 Pin 1 High efficiency
Другие MOSFET... SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , 50N06 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 .
History: S8045R | AOB450A70L | EV3407
History: S8045R | AOB450A70L | EV3407



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193