PIP8205-Z6 - описание и поиск аналогов

 

PIP8205-Z6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PIP8205-Z6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для PIP8205-Z6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PIP8205-Z6 даташит

 7.1. Size:5365K  pipsemi
 pip8205.pdf pdf_icon

PIP8205-Z6

PIP8205 20V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON),max.m RDS(ON),typ.m Test Conditions ID General Features 20 16 VGS=10V, ID=5.0A Proprietary New Trench Technology 20V V =4.5V, I =4.5A 7A 22 18 GS D Low Gate Charge Minimize Switching Loss VGS=2.5V, ID=3.0A 28 22 Fast Recovery Body Diode D1/D2 S2 S2 Applications G2 Pin 1 High efficiency

Другие MOSFET... SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , SFS06R06DF , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , 50N06 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 , PSA10N60C , PSA10N65C , PSA13N50 , PSP13N50 .

History: RUE002N02 | AP3N2R2MT-L | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | ISA07N65A | HD60N75

 

 

 

 

↑ Back to Top
.