PSA10N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSA10N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 135 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
PSA10N60C Datasheet (PDF)
psa10n60c.pdf
PSA10N60C 600V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 600V 0.65 10A RDS(ON),typ.=0.65 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D SMPS Standby Power S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA1
psa10n65c.pdf
PSA10N65C 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 0.70 10A RDS(ON),typ.=0.70 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D SMPS Standby Power S TO-220F Ordering Information Part Number Package Brand Package No to Scale PSA1
psp10n70 psa10n70.pdf
PSP10N70 PSA10N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 0.80 10A RDS(ON),typ.=0.80 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
