Справочник MOSFET. PSA06N70

 

PSA06N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSA06N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PSA06N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  pipsemi
psp06n70 psa06n70.pdfpdf_icon

PSA06N70

PSP06N70 PSA06N70 700V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 700V 1.35 6.0A RDS(ON),typ.=1.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

 8.1. Size:894K  pipsemi
psa06n40 psp06n40.pdfpdf_icon

PSA06N70

PSA06N40 PSP06N40 400V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 400V 0.78 6.0A RDS(ON),typ.=0.78 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package Brand PSP06N40 TO-220 PSA06N40 TO-220F Absolute Maximum Ra

 9.1. Size:239K  motorola
mpsa05-06 mpsa55-56 mpsa05 mpsa55 mpsa06 mpsa56.pdfpdf_icon

PSA06N70

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSA05/DAmplifier TransistorsNPNCOLLECTOR COLLECTOR MPSA053 3MPSA06*2 2PNPBASE BASENPN PNP MPSA551 1*MPSA56EMITTER EMITTERVoltage and current are negativeMAXIMUM RATINGS for PNP transistorsMPSA05 MPSA06MPSA55 MPSA56Rating Symbol Unit*Motorola Preferred DeviceCollectorEmitter Voltage VC

 9.2. Size:50K  philips
mpsa06.pdfpdf_icon

PSA06N70

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186MPSA06NPN general purpose transistorProduct specification 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 27Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor MPSA06FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 collector2 baseAPPLICATIONS3 emitter

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE150180G | LR024N | BL3N150-B | NTP2955 | 2SK1237 | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.