PSD07N65 - описание и поиск аналогов

 

PSD07N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSD07N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PSD07N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSD07N65 даташит

 ..1. Size:962K  pipsemi
 psu07n65 psd07n65.pdf pdf_icon

PSD07N65

PSU07N65 PSD07N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.1 7.0A RDS(ON),typ.=1.1 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger G D SMPS Standby Power D S S Ordering Information TO-251 TO-252 Part Number Package Brand

Другие MOSFET... PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , P55NF06 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 .

History: 2SK1632 | DMTH8012LK3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.