PSD07N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

PSD07N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PSD07N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PSD07N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSD07N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:962K  pipsemi
 psu07n65 psd07n65.pdf pdf_icon

PSD07N65

PSU07N65 PSD07N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),Typ. ID RoHS Compliant 650V 1.1 7.0A RDS(ON),typ.=1.1 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger G D SMPS Standby Power D S S Ordering Information TO-251 TO-252 Part Number Package Brand

Другие MOSFET... PSP13N50 , PSP06N70 , PSA06N70 , PSP10N70 , PSA10N70 , PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , 2SK3878 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , PTA08N100 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 .

History: SPA65R38G | 2SJ545 | NTTFS4H05N | AOW292 | IPA045N10N3G | RT1E050RP | WM05DP01D

 

 
Back to Top

 


 
.