PTA08N100 - описание и поиск аналогов

 

PTA08N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTA08N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PTA08N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA08N100 даташит

 ..1. Size:392K  pipsemi
 pta08n100.pdf pdf_icon

PTA08N100

PTA08N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 1.2 8.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA08N100 TO-220F Ab

 8.1. Size:569K  pipsemi
 ptp08n65 pta08n65.pdf pdf_icon

PTA08N100

PTP08N65 PTA08N65 N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger 650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel Power D Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G G Ordering Information DS DS TO-220F TO-220 S PART NUMBER PACKAGE

Другие MOSFET... PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , IRF9540 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 .

History: FQD5N60C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.