Справочник MOSFET. PTA08N100

 

PTA08N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA08N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 62 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA08N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA08N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  pipsemi
 pta08n100.pdf pdf_icon

PTA08N100

PTA08N100 1000V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 1000V 1.2 8.0A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G SMPS Standby Power D S Ordering Information TO-220F Part Number Package Brand Package No to Scale PTA08N100 TO-220F Ab

 8.1. Size:569K  pipsemi
 ptp08n65 pta08n65.pdf pdf_icon

PTA08N100

PTP08N65PTA08N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger650 V 0.85 8 A SMPS Power Supply LCD Panel PowerDFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PACKAGE

Другие MOSFET... PSU04N65B , PSD04N65B , PSU07N65 , PSD07N65 , PTA04N100 , PTA04N80 , PTA05N65 , PTA07N65B , K3569 , PTA09N45 , PTA13N45 , PTA22N60 , PTA22N65 , PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.