PTA28N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA28N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA28N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA28N50 даташит

 ..1. Size:4053K  pipsemi
 pta28n50.pdf pdf_icon

PTA28N50

Другие IGBT... PTA09N45, PTA13N45, PTA22N60, PTA22N65, PTA25N50, PTA26N60, PTA26N65, PTA26N70, K3569, PTF12N90, PTF27N80, PTH03N150, PTA03N150, PTP01N04N, PTP02N03N, PTP02N04N, PTP02N04NB