Справочник MOSFET. PTA03N150

 

PTA03N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA03N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA03N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA03N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12591K  pipsemi
 pth03n150 pta03n150.pdf pdf_icon

PTA03N150

PTH03N150 PTA03N150 1500V N-ch High Planar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=5.4 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220F TO-3PF Part Number Package Brand Package No to Scale PTH03N150 TO-3PF PTA03N150 TO-220F

Другие MOSFET... PTA25N50 , PTA26N60 , PTA26N65 , PTA26N70 , PTA28N50 , PTF12N90 , PTF27N80 , PTH03N150 , IRF9540N , PTP01N04N , PTP02N03N , PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA .

History: PA210BC | OSG60R022HT3ZF | 2SK2793 | BF1208D | CJAC10TH10 | TPM8205ATS6 | IRFI840GLCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.