PTP09N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP09N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP09N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP09N50 даташит

 ..1. Size:625K  pipsemi
 ptp09n50 pta09n50.pdf pdf_icon

PTP09N50

PTP09N50 PTA09N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.55 9A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N50

 8.1. Size:883K  pipsemi
 ptp09n90 pta09n90.pdf pdf_icon

PTP09N50

PTP09N90 PTA09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.2 9A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N90 TO-220 PTA09N90

Другие IGBT... PTP02N04N, PTP02N04NB, PTP04N04A, PTP08N06N, PTP08N06NB, PTP08N08NA, PTP08N65, PTA08N65, NCEP15T14, PTA09N50, PTP09N90, PTA09N90, PTP10N40B, PTA10N40B, PTP10N80, PTA10N80, PTP11N08A