Справочник MOSFET. PTP09N50

 

PTP09N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP09N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PTP09N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP09N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  pipsemi
 ptp09n50 pta09n50.pdf pdf_icon

PTP09N50

PTP09N50 PTA09N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology500V 0.55 9A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N50

 8.1. Size:883K  pipsemi
 ptp09n90 pta09n90.pdf pdf_icon

PTP09N50

PTP09N90 PTA09N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 900V 1.2 9A RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP09N90 TO-220 PTA09N90

Другие MOSFET... PTP02N04N , PTP02N04NB , PTP04N04A , PTP08N06N , PTP08N06NB , PTP08N08NA , PTP08N65 , PTA08N65 , IRFP450 , PTA09N50 , PTP09N90 , PTA09N90 , PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 , PTA10N80 , PTP11N08A .

History: APS04N60H | DH1K1N10B | 2SK2127 | SI7703EDN | IXFR12N100F | CS1119 | APT22F100J

 

 
Back to Top

 


 
.