PTA10N40B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA10N40B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA10N40B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA10N40B даташит

 ..1. Size:827K  pipsemi
 ptp10n40b pta10n40b.pdf pdf_icon

PTA10N40B

PTP10N40B PTA10N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.45 10A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number

 8.1. Size:909K  pipsemi
 ptp10n80 pta10n80.pdf pdf_icon

PTA10N40B

PTP10N80 PTA10N80 800V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 800V 1.0 10A RDS(ON),typ.=1.0 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications ATX Power G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220 TO-220F

Другие IGBT... PTP08N08NA, PTP08N65, PTA08N65, PTP09N50, PTA09N50, PTP09N90, PTA09N90, PTP10N40B, AO4407, PTP10N80, PTA10N80, PTP11N08A, PTP11N40, PTA11N40, PTP11N45, PTA11N45, PTP12N60