Справочник MOSFET. PTA11N40

 

PTA11N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA11N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA11N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA11N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  pipsemi
 ptp11n40 pta11n40.pdf pdf_icon

PTA11N40

PTP11N40 PTA11N40 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.35 11A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

 7.1. Size:818K  pipsemi
 ptp11n45 pta11n45.pdf pdf_icon

PTA11N40

PTP11N45 PTA11N45 450V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 450V 0.39 11A RDS(ON),typ.=0.39 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

Другие MOSFET... PTP09N90 , PTA09N90 , PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 , PTA10N80 , PTP11N08A , PTP11N40 , 5N65 , PTP11N45 , PTA11N45 , PTP12N60 , PTA12N60 , PTP12N65 , PTA12N65 , PTP13N50B , PTA13N50B .

History: MDV1595SURH | FQN1N50CTA | AM8N25-550D | CP650 | AM2373P | VBA3695 | VS3625GPMC

 

 
Back to Top

 


 
.