PTA11N45 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTA11N45
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
PTA11N45 Datasheet (PDF)
ptp11n45 pta11n45.pdf
PTP11N45 PTA11N45 450V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 450V 0.39 11A RDS(ON),typ.=0.39 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P
ptp11n40 pta11n40.pdf
PTP11N40 PTA11N40 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.35 11A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F