PTA11N45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA11N45  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA11N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA11N45 даташит

 ..1. Size:818K  pipsemi
 ptp11n45 pta11n45.pdf pdf_icon

PTA11N45

PTP11N45 PTA11N45 450V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 450V 0.39 11A RDS(ON),typ.=0.39 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

 7.1. Size:832K  pipsemi
 ptp11n40 pta11n40.pdf pdf_icon

PTA11N45

PTP11N40 PTA11N40 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.35 11A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

Другие IGBT... PTP10N40B, PTA10N40B, PTP10N80, PTA10N80, PTP11N08A, PTP11N40, PTA11N40, PTP11N45, 5N60, PTP12N60, PTA12N60, PTP12N65, PTA12N65, PTP13N50B, PTA13N50B, PTP13N60, PTA13N60