Справочник MOSFET. PTA11N45

 

PTA11N45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA11N45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA11N45

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA11N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  pipsemi
 ptp11n45 pta11n45.pdf pdf_icon

PTA11N45

PTP11N45 PTA11N45 450V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 450V 0.39 11A RDS(ON),typ.=0.39 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

 7.1. Size:832K  pipsemi
 ptp11n40 pta11n40.pdf pdf_icon

PTA11N45

PTP11N40 PTA11N40 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.35 11A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Ballast and Lighting DC-AC Inverter G D S G D Other Applications S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

Другие MOSFET... PTP10N40B , PTA10N40B , PTP10N80 , PTA10N80 , PTP11N08A , PTP11N40 , PTA11N40 , PTP11N45 , 13N50 , PTP12N60 , PTA12N60 , PTP12N65 , PTA12N65 , PTP13N50B , PTA13N50B , PTP13N60 , PTA13N60 .

History: IXTK140N20P | SIHF7N60E | MMSF7P03HDR2 | SM6012NSK

 

 
Back to Top

 


 
.