PTA12N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA12N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA12N65 даташит

 ..1. Size:571K  pipsemi
 ptp12n65 pta12n65.pdf pdf_icon

PTA12N65

PTP12N65 PTA12N65 650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 0.60 12A RDS(ON),typ.=0.60 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

 7.1. Size:684K  pipsemi
 ptp12n60 pta12n60.pdf pdf_icon

PTA12N65

PTP12N60 PTA12N60 600V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 600V 0.55 12A RDS(ON),typ.=0.55 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger G D S G D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Package Brand

 9.1. Size:15143K  sprague
 tmpt5551 tmpt6427 tmpt6428 tmpt6429 tmpta05 tmpta06 tmpta12 tmpta13 tmpta14 tmpta20 tmpta42 tmpta43.pdf pdf_icon

PTA12N65

Другие IGBT... PTP11N08A, PTP11N40, PTA11N40, PTP11N45, PTA11N45, PTP12N60, PTA12N60, PTP12N65, 18N50, PTP13N50B, PTA13N50B, PTP13N60, PTA13N60, PTP13N65, PTA13N65, PTP14508E, PTB14508E