PTA16N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA16N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA16N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA16N60 даташит

 ..1. Size:431K  pipsemi
 ptp16n60 pta16n60.pdf pdf_icon

PTA16N60

PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60

 7.1. Size:835K  pipsemi
 ptp16n65 pta16n65.pdf pdf_icon

PTA16N60

PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N

Другие IGBT... PTA13N65, PTP14508E, PTB14508E, PTP15N50, PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, 7N60, PTP16N65, PTA16N65, PTP18N20A, PTP20N40B, PTA20N40B, PTP20N50A, PTA20N50A, PTP20N60