Справочник MOSFET. PTA16N60

 

PTA16N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA16N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA16N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  pipsemi
 ptp16n60 pta16n60.pdf pdf_icon

PTA16N60

PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60

 7.1. Size:835K  pipsemi
 ptp16n65 pta16n65.pdf pdf_icon

PTA16N60

PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N

Другие MOSFET... PTA13N65 , PTP14508E , PTB14508E , PTP15N50 , PTA15N50 , PTP16N06N , PTL16N06N , PTP16N60 , MMIS60R580P , PTP16N65 , PTA16N65 , PTP18N20A , PTP20N40B , PTA20N40B , PTP20N50A , PTA20N50A , PTP20N60 .

History: OSG70R1KFF | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | YJQ4666B | EFC4630R | AOB9N70L | IXTT30N50P

 

 
Back to Top

 


 
.