PTA16N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTA16N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 54 nC
Время нарастания (tr): 52 ns
Выходная емкость (Cd): 218 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
PTA16N65 Datasheet (PDF)
ptp16n65 pta16n65.pdf
PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N
ptp16n60 pta16n60.pdf
PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
