Справочник MOSFET. PTA16N65

 

PTA16N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTA16N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PTA16N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA16N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  pipsemi
 ptp16n65 pta16n65.pdf pdf_icon

PTA16N65

PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N

 7.1. Size:431K  pipsemi
 ptp16n60 pta16n60.pdf pdf_icon

PTA16N65

PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60

Другие MOSFET... PTB14508E , PTP15N50 , PTA15N50 , PTP16N06N , PTL16N06N , PTP16N60 , PTA16N60 , PTP16N65 , STP65NF06 , PTP18N20A , PTP20N40B , PTA20N40B , PTP20N50A , PTA20N50A , PTP20N60 , PTA20N60 , PTP20N60A .

History: GSM4998W | R8002ANX | SQM200N04-1M1L | 2SK2488 | UPA1720 | MS48P25

 

 
Back to Top

 


 
.