PTA16N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA16N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA16N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA16N65 даташит

 ..1. Size:835K  pipsemi
 ptp16n65 pta16n65.pdf pdf_icon

PTA16N65

PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N

 7.1. Size:431K  pipsemi
 ptp16n60 pta16n60.pdf pdf_icon

PTA16N65

PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60

Другие IGBT... PTB14508E, PTP15N50, PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, IRFZ46N, PTP18N20A, PTP20N40B, PTA20N40B, PTP20N50A, PTA20N50A, PTP20N60, PTA20N60, PTP20N60A