PTP20N40B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTP20N40B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTP20N40B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP20N40B даташит

 ..1. Size:573K  pipsemi
ptp20n40b pta20n40b.pdfpdf_icon

PTP20N40B

PTP20N40B PTA20N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply G D S G D LCD Panel Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P

 8.1. Size:1028K  pipsemi
ptp20n70a pta20n70a.pdfpdf_icon

PTP20N40B

PTP20N70A PTA20N70A 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 700V 0.50 20A RDS(ON),typ.=0.50 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power G G SMPS Power Supply D D S S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information P

 8.2. Size:633K  pipsemi
ptp20n50a pta20n50a.pdfpdf_icon

PTP20N40B

PTP20N50A PTA20N50A 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand T

 8.3. Size:869K  pipsemi
ptp20n60a pta20n60a.pdfpdf_icon

PTP20N40B

PTP20N60A PTA20N60A 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.32 20A RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor G D S Other Applications G D S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Pa

Другие IGBT... PTA15N50, PTP16N06N, PTL16N06N, PTP16N60, PTA16N60, PTP16N65, PTA16N65, PTP18N20A, IRLB3034, PTA20N40B, PTP20N50A, PTA20N50A, PTP20N60, PTA20N60, PTP20N60A, PTA20N60A, PTP20N65A