PTA20N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTA20N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 249 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTA20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTA20N60 даташит

 ..1. Size:624K  pipsemi
ptp20n60 pta20n60.pdfpdf_icon

PTA20N60

PTP20N60 PTA20N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.35 20A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other Applications Ordering Information Part Number Package Brand PTP20N60 TO-220 PTA20N60 TO-2

 0.1. Size:869K  pipsemi
ptp20n60a pta20n60a.pdfpdf_icon

PTA20N60

PTP20N60A PTA20N60A 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.32 20A RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor G D S Other Applications G D S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Pa

 7.1. Size:748K  pipsemi
ptp20n65a pta20n65a.pdfpdf_icon

PTA20N60

PTP20N65A PTA20N65A 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.38 20A RDS(ON),typ.=0.38 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G TV Main Power D S G D SMPS Power Supply S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information Packa

 8.1. Size:1028K  pipsemi
ptp20n70a pta20n70a.pdfpdf_icon

PTA20N60

PTP20N70A PTA20N70A 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 700V 0.50 20A RDS(ON),typ.=0.50 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power G G SMPS Power Supply D D S S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information P

Другие IGBT... PTP16N65, PTA16N65, PTP18N20A, PTP20N40B, PTA20N40B, PTP20N50A, PTA20N50A, PTP20N60, EMB04N03H, PTP20N60A, PTA20N60A, PTP20N65A, PTA20N65A, PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20