PTP20N70A
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTP20N70A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 20
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 61
nC
trⓘ -
Время нарастания: 120
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 217
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7
Ohm
Тип корпуса:
TO-220
Аналог (замена) для PTP20N70A
PTP20N70A
Datasheet (PDF)
..1. Size:1028K pipsemi
ptp20n70a pta20n70a.pdf 
PTP20N70A PTA20N70A 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 700V 0.50 20A RDS(ON),typ.=0.50 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power G G SMPS Power Supply D D S S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information P
8.1. Size:573K pipsemi
ptp20n40b pta20n40b.pdf 
PTP20N40B PTA20N40B 400V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 400V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply G D S G D LCD Panel Power S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number P
8.2. Size:633K pipsemi
ptp20n50a pta20n50a.pdf 
PTP20N50A PTA20N50A 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply G LCD Panel Power D S G D S Ordering Information Part Number Package Brand T
8.3. Size:869K pipsemi
ptp20n60a pta20n60a.pdf 
PTP20N60A PTA20N60A 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.32 20A RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor G D S Other Applications G D S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Pa
8.4. Size:748K pipsemi
ptp20n65a pta20n65a.pdf 
PTP20N65A PTA20N65A 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.38 20A RDS(ON),typ.=0.38 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G TV Main Power D S G D SMPS Power Supply S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information Packa
8.5. Size:624K pipsemi
ptp20n60 pta20n60.pdf 
PTP20N60 PTA20N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology600V 0.35 20A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other ApplicationsOrdering Information Part Number Package Brand PTP20N60 TO-220PTA20N60 TO-2
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.
