PTW20N50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTW20N50A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTW20N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW20N50A даташит

 ..1. Size:679K  pipsemi
 ptw20n50a.pdf pdf_icon

PTW20N50A

PTW20N50A 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW20N50A TO-3

Другие IGBT... PTP20N70A, PTA20N70A, PTP23N10A, PTP40N20, PTP540, PTP9506E, PTB9506E, PTW09N90, 20N60, PTW28N50, PTW30N50EL, PTW36N60, PTW50N20, PTW69N30, PTW90N20, SPTA60R130E, SPTA65R350E