Справочник MOSFET. PTW20N50A

 

PTW20N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW20N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для PTW20N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW20N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  pipsemi
 ptw20n50a.pdf pdf_icon

PTW20N50A

PTW20N50A 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 500V 0.24 20A RDS(ON),typ.=0.24 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTW20N50A TO-3

Другие MOSFET... PTP20N70A , PTA20N70A , PTP23N10A , PTP40N20 , PTP540 , PTP9506E , PTB9506E , PTW09N90 , 20N60 , PTW28N50 , PTW30N50EL , PTW36N60 , PTW50N20 , PTW69N30 , PTW90N20 , SPTA60R130E , SPTA65R350E .

History: STP1N105K3 | SFB083N80CC2 | IRF7456PBF-1 | FCP125N65S3R0 | STF5N80K5 | HSP3105 | NVBLS1D1N08H

 

 
Back to Top

 


 
.