Справочник MOSFET. RU7080R

 

RU7080R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU7080R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 388 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU7080R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7080R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  ruichips
ru7080r.pdfpdf_icon

RU7080R

RU7080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,RDS (ON) =7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitC

 8.1. Size:328K  ruichips
ru7080l.pdfpdf_icon

RU7080R

RU7080LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,D RDS (ON) =5.7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Power SupplyGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitC

 8.2. Size:1227K  ruichips
ru7080s.pdfpdf_icon

RU7080R

RU7080SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,D RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications Motor Drives Uninterruptible Power SuppliesG DC/DC converter

 9.1. Size:306K  ruichips
ru7088a.pdfpdf_icon

RU7080R

RU7088AN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/88A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications The device is suitable for use inPWM ,load switching and generalpurpose applications.N-Channel

Другие MOSFET... RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , RU6888 , 2SK3568 , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R .

History: IXFA10N80P | MTD20N03HDLT4G | WMP90R1K5S | WNMD2171 | SSF7504A | IPI50N12S3L-15 | IRF7343PBF

 

 
Back to Top

 


 
.