RU75N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220 TO220F TO263 TO247
Аналог (замена) для RU75N08
RU75N08 Datasheet (PDF)
ru75n08.pdf

RU75N08N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m VGS=10V IDS=40A Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 TO-247 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application
ru75n08r.pdf

RU75N08RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application SystemsN-Channel MO
ru75n08l.pdf

RU75N08LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,D RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications High Speed Power SwitchingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Un
ru75n08s.pdf

RU75N08S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 75V/80A, RDS (ON) =8m (typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Chan
Другие MOSFET... RU40C40L4 , RU6070L-A , RU6085H , RU6199S , RU6888 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , IRFB3607 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , RUH3051M2 .
History: FCB20N60F085 | VN1210N1 | HSL0107 | SSD30N03-40D | MTP12N18 | HITK0204MP | HSBA3115
History: FCB20N60F085 | VN1210N1 | HSL0107 | SSD30N03-40D | MTP12N18 | HITK0204MP | HSBA3115



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent