Справочник MOSFET. RUH3051M2

 

RUH3051M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH3051M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для RUH3051M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH3051M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  ruichips
ruh3051m2.pdfpdf_icon

RUH3051M2

RUH3051M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,RDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN3333DApplications DC/DC Converters On board power for

 6.1. Size:457K  ruichips
ruh3051m.pdfpdf_icon

RUH3051M2

RUH3051MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/50A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDRDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=4.5VDDD Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSPIN1DFN5060DApplications DC/DC Converters On board power for server

 9.1. Size:384K  ruichips
ruh30150m.pdfpdf_icon

RUH3051M2

RUH30150MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/150A,RDS (ON) =0.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power

 9.2. Size:286K  ruichips
ruh30j105m.pdfpdf_icon

RUH3051M2

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

Другие MOSFET... RU75N08 , RU75N08L , RU75N08S , RU8205BC6 , RU8590S , RUH1H150R , RUH30120M-C , RUH30150M , AO4407 , RUH40130M , RUH40140M , RUH4040M2 , RUH60100M , SIF4N65F , SIF5N65F , LPN1010C , LPN2010C .

History: IRFL4310PBF | 2SK975 | IRF250P224 | VS3P07C | IRFR014 | HM4402B | SPB07N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.