STW15NA50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW15NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STW15NA50
STW15NA50 Datasheet (PDF)
stw15na50.pdf

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V
stb15nm65n sti15nm65n stf15nm65n stp15nm65n stw15nm65n.pdf

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65NSTB15NM65N-STP15NM65NN-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) Max ID(@Tjmax)323121STB15NM65N 710 V
stp15nk50zfp stb15nk50z stb15nk50z-1 stw15nk50z.pdf

STP15NK50Z/FP - STB15NK50ZSTB15NK50Z-1 - STW15NK50ZN-channel 500V - 0.30 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP15NK50Z 500V
Другие MOSFET... STV6NA60 , STV7NA40 , STV7NA60 , STV8NA50 , STW12N60 , STW12NA50 , STW14N50 , STW15N50 , IRFP064N , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , STW9NA60 .
History: FQB55N06TM | IRC6305
History: FQB55N06TM | IRC6305



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG | JMSH0606PC | JMSH0606AU | JMSH0606AKQ | JMSH0606AK | JMSH0606AGQ | JMSH0606AG | JMSH0605AGDQ | JMSH0605AGD | JBL101N | JBL083M
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent